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1N26BR

更新时间: 2024-11-19 21:02:31
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 257K
描述
Mixer Diode, K Band, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon, DO-37, HERMETIC SEALED, DO-37, 2 PIN

1N26BR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-37
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.23
其他特性:MATCHED PAIR外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE频带:K BAND
最大阻抗:600 Ω最小阻抗:400 Ω
JEDEC-95代码:DO-37JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大噪声指数:11 dB元件数量:1
端子数量:2最大工作频率:26 GHz
最小工作频率:18 GHz最高工作温度:150 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
子类别:Microwave Mixer Diodes表面贴装:NO
技术:POINT CONTACT端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N26BR 数据手册

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