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1N26AR

更新时间: 2024-11-07 21:02:31
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 257K
描述
Mixer Diode, K Band, 600ohm Z(V) Max, 11.3dB Noise Figure, Silicon, DO-37, HERMETIC SEALED, DO-37, 2 PIN

1N26AR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-37
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.68
Is Samacsys:N其他特性:MATCHED PAIR
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:K BAND最大阻抗:600 Ω
最小阻抗:300 ΩJEDEC-95代码:DO-37
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大噪声指数:11.3 dB
元件数量:1端子数量:2
最大工作频率:26 GHz最小工作频率:18 GHz
最高工作温度:150 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified子类别:Microwave Mixer Diodes
表面贴装:NO技术:POINT CONTACT
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N26AR 数据手册

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