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1N1812

更新时间: 2024-11-21 21:19:51
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 179K
描述
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN

1N1812 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:1
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:10 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:150 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:10%工作测试电流:50 mA
Base Number Matches:1

1N1812 数据手册

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