5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 10 W |
| 标称参考电压： | 130 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 50 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1811E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1812 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1812A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1812AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1812E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1813 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 160V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1813A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 160V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1813AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 160V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1813E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 160V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1814 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
