生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.36 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JEDEC-95代码: | DO-4 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 5 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1614A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N1614A | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 15A 2-Pin DO-4 | |
1N1614AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1614AR | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N1614R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier | |
1N1614R | NJSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N1615 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier | |
1N1615 | NJSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier | |
1N1615 | ASI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN | |
1N1615A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |