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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-22 |
| 包装说明： | O-LALF-W1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 频带： | X BAND | 最大阻抗： | 3100 Ω |
| 最小阻抗： | 1700 Ω | JEDEC-95代码： | DO-22 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大工作频率： | 10 GHz |
| 最小工作频率： | 4 GHz | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 最小正切信号灵敏度： | 53 dBm |
| 技术： | POINT CONTACT | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 肖特基势垒类型： | ZERO BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1611BR | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, 800ohm Z(V) Max, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN |
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| 1N1611R | ASI |
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Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, 800ohm Z(V) Max, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN |
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| 1N1612 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1612 | NJSEMI |
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Rectifiers |
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| 1N1612A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1612A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 50V 16A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1612AR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N1612ARE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1612E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N1612R | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 7A, 50V V(RRM) |
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