5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-13 |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-13 | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 22 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1521A | NJSEMI |
获取价格 |
Ref/Reg Diode |
|
| 1N1522 | NJSEMI |
获取价格 |
Ref/Reg Diode |
|
| 1N156 | NJSEMI |
获取价格 |
PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTORS |
|
| 1N158 | NJSEMI |
获取价格 |
PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTORS |
|
| 1N1581 | NJSEMI |
获取价格 |
Rectifiers |
|
| 1N1581 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1581E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1581R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1581RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1582 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
