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1N150MR

更新时间: 2024-02-04 04:42:52
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 350K
描述
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES

1N150MR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-22
包装说明:O-LALF-W1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:MATCHED PAIR
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:C BANDJEDEC-95代码:DO-22
JESD-30 代码:O-LALF-W1最大噪声指数:9.8 dB
元件数量:1端子数量:1
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:POINT CONTACT
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N150MR 数据手册

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与1N150MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N150R ASI

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Mixer Diode, C Band, 9.8dB Noise Figure, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN
1N1510A VISHAY

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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, METAL PACKAGE-2
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Ref/Reg Diode
1N1522 NJSEMI

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Ref/Reg Diode
1N156 NJSEMI

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1N158 NJSEMI

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PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTORS
1N1581 NJSEMI

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1N1581 MICROSEMI

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1N1581E3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N1581R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN