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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.21 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大功率耗散： | 88 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1206A/R | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1 |
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| 1N1206AR | MICROSEMI |
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MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1206AR | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N1206AR | AMERICASEMI |
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DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER |
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| 1N1206AR | NJSEMI |
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Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1206AR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N1206B | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 600V V(RRM) |
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| 1N1206B | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N1206B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N1206BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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