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1MBI900V-120-50

更新时间： 2024-09-15 12:50:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 453K
描述
IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package

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1MBI900V-120-50 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
1MBI900V-120-50  
IGBT MODULE (V series)  
1200V / 900A / 1 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
V
CES  
1200  
±20  
V
V
GES  
Tc=100°C  
Tc=25°C  
900  
Ic  
Continuous  
1ms  
1080  
1800  
900  
Collector current  
Ic pulse  
-Ic  
A
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
1800  
4280  
175  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
W
Operating junction temperature  
(under switching conditions)  
Tjop  
150  
°C  
Case temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1) Viso  
Tc  
Tstg  
125  
-40~+125  
2500  
6.0  
AC : 1min.  
VAC  
Nm  
Mounting (*2)  
-
Screw torque  
M4  
M6  
2.0  
5.0  
Terminals (*3)  
Note *1: All terminals should be connected together during the test.  
Note *2: Recommendable Value : 3.0-6.0 Nm (M5, M6)  
Note *3: Recommendable Value : 1.1-2.0 Nm (M4)  
Recommendable Value : 2.5-5.0 Nm (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
max.  
-
2.0  
1600  
7.0  
2.55  
-
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
mA  
nA  
V
-
6.0  
-
6.5  
V
GE (th)  
CE = 20V, I = 900mA  
C
2.10  
2.35  
2.40  
1.90  
2.15  
2.20  
72.8  
0.75  
0.32  
0.15  
0.85  
0.10  
2.00  
2.15  
2.10  
1.70  
1.85  
1.80  
0.3  
Tj=25°C  
V
CE (sat)  
-
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
(terminal)  
VGE = 15V  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
IC  
= 900A  
-
-
2.15  
-
VCE (sat)  
(chip)  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Input capacitance  
Turn-on time  
Cies  
ton  
tr  
tr(i)  
toff  
tf  
V
GE = 0V, VCE = 10V, f = 1MHz  
nF  
µs  
V
CC = 600V, I  
C
= 900A  
= 1.5/-0.9Ω  
VGE = ±15V, R  
G
Tj=150°C, Ls=30nH  
-
Turn-off time  
-
2.45  
-
Tj=25°C  
V
F
(terminal)  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
VGE = 0V  
Forward on voltage  
V
IF  
= 900A  
-
-
2.15  
-
V
F
(chip)  
-
-
Reverse recovery time  
trr  
I
F
= 900A  
1
µs  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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