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1MBI800U4B-120

更新时间: 2024-11-20 02:54:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 422K
描述
IGBT MODULE

1MBI800U4B-120 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数:4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):410 ns
标称接通时间 (ton):320 nsBase Number Matches:1

1MBI800U4B-120 数据手册

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SPECIFICATION  
IGBT MODULE  
Device Name :  
1MBI800U4B-120  
MS5F 6041  
Type Name  
:
Spec. No. :  
S.Miyashita  
Feb. 15 05  
Feb. 15 05  
a
Y.Seki  
T.Miyasaka  
K.Yamada  
1
MS5F6041  
13  

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