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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SWITCHING SPEED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 800 A | 集电极-发射极最大电压： | 1800 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1800 ns | 标称接通时间 (ton)： | 2000 ns |
| VCEsat-Max： | 4.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1MBI800U4B-120 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 1MBI800UB-120 | ETC |
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IGBTs |
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| 1MBI800UG-330 | FUJI |
获取价格 |
DISCON |
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| 1MBI900V-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package |
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| 1MBI900VXA-120PC-50 | FUJI |
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1-Pack(1 in 1) M271 |
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| 1MBI900VXA-120PC-54 | FUJI |
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1-Pack(1 in 1) M271 |
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| 1MBI900VXA-120PD-50 | FUJI |
获取价格 |
1-Pack(1 in 1) M271 |
|
| 1MBI900VXA-120PD-54 | FUJI |
获取价格 |
1-Pack(1 in 1) M271 |
|
| 1MBK30D-060S | FUJI |
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Molded IGBT |
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| 1MBK50D-060S | FUJI |
获取价格 |
Molded IGBT |
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