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1MBI600PX-140_04

更新时间： 2024-11-20 07:20:27
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富士电机 - FUJI 双极性晶体管
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4页 315K
描述
IGBT Module P-Series

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1MBI600PX-140_04 数据手册

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1MBI600PX-140  
IGBT Module P-Series  
1400V / 600A 1 in one-package  
Features  
· Small temperature dependence of the turn-off switching loss  
· Easy to connect in parallel  
· Wide RBSOA (square up to 2 time of rated current) and high short-  
circuit withstand capability  
Equivalent Circuit Schematic  
· Low loss and soft-switching (reduction of EMI noise)  
Applications  
· General purpose inverter  
· AC Servo systems (Drive unit)  
· UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Unit  
V
Rating  
1400  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Conditions  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
V
±20  
800  
A
Continuous  
1ms  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
600  
1600  
1200  
600  
IC pulse  
-IC  
Continuous  
1ms  
1200  
4100  
+150  
-40 to +125  
2500  
4.5  
-IC pulse  
PC  
W
°C  
Collector Power Dissipation  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
VAC  
N·m  
Isolation voltage between terminal and copper base *1  
Viso  
AC:1min.  
Screw Torque  
Mounting *2  
Terminals *3  
*4  
11.0  
1.7  
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Recommendable value : *2 4.0±0.5 N·m(M6), *3 10.0±1.0 N·m(M8), *4 1.50±0.2 N·m(M4)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
Input capacitance  
VGE=0V, VCE=1400V  
mA  
µA  
V
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
–
2.0  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=600mA  
VGE=15V, IC=600A, Tj=25°C  
VCE=10V  
–
–
0.5  
9.0  
3.2  
–
6.0  
–
8.0  
2.85  
V
nF  
–
60  
Output capacitance  
VGE=0V  
–
9
–
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
f=1MHz  
–
4
–
VCC=600V  
µs  
–
0.75  
0.20  
0.65  
0.10  
–
1.20  
0.60  
1.00  
0.30  
3.4  
0.35  
IC=600A  
tr  
–
Turn-off time  
VGE=±15V  
toff  
–
RG=2.0 Ω  
tf  
–
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
IF=600A, VGE=0V  
IF=600A  
V
VF  
–
µs  
trr  
–
–
Thermal resistance characteristics  
Items  
Thermal resistance  
Contact Thermal resistance  
Symbols  
Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
–
–
–
–
0.03  
0.06  
–
IGBT  
Rth(j-c)  
°C/W  
–
Diode  
Rth(j-c)  
°C/W  
°C/W  
0.0063  
the base to cooling fin  
Rth(c-f)*4  
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1234

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