生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 800 A |
集电极-发射极最大电压: | 1400 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs): | 4100 W | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
VCEsat-Max: | 3.2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1MBI600S-120 | FUJI |
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1GBT MODULE | |
1MBI600U-120 | ETC |
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IGBT MODULE U-SERIES | |
1MBI600U4-120 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
1MBI600U4B-120 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
1MBI600UB-120 | ETC |
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IGBTs | |
1MBI600V-120-50 | FUJI |
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IGBT MODULE (V series) 1200V / 600A / 1 in one package | |
1MBI600V-170-50 | FUJI |
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1-Pack(1 in 1) | |
1MBI600VF-120-50 | FUJI |
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1-Pack(1 in 1) M153 | |
1MBI650VXA-170EH-50 | FUJI |
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1-Pack(1 in 1) M271 | |
1MBI650VXA-170EH-54 | FUJI |
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DISCON |