Datasheet > 晶体管 > IGBT> 1MBI600PX-120

1MBI600PX-120

更新时间： 2024-11-16 22:08:07

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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IGBT MODULE

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1MBI600PX-120 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	600 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1000 ns	标称接通时间 (ton)：	1200 ns
Base Number Matches：	1

1MBI600PX-120 数据手册

IGBT MODULE

n Outline Drawing

n Features

• Square RBSOA

• Low Saturation Voltage

• Less Total Power Dissipation

• Improved FWD Characteristic

• Minimized Internal Stray Inductance

n Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

n Maximum Ratings and Characteristics

n Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Symbols

V_CES

Ratings

1200

± 20

Units

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

V_GES

Continuous (25°C / 80°C)

I_C

800 / 600

1600 / 1200

600

Collector

Current

1ms (25°C / 80°C)

Continuous

1ms

I_{C PULSE}

-I_C

-I_{C PULSE}

1200

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

P_C

T_j

T_stg

V_is

4100

+150

-40 ~ +125

2500

°C

A.C. 1min.

Mounting *1

Terminals *2

Terminals *3

4.5

11.0

1.7

Screw Torque

Note: *1:Recommendable Value; 4.0 ± 0.5 Nm (M6)

*2:Recommendable Value; 10.0 ± 1.0 Nm (M8)

*3:Recommendable Value; 1.5 ± 0.2 Nm (M4)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Symbols

I_CES

I_GES

V_GE(th)

V_CE(sat)

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r

t_OFF

t_f

V_F

t_rr

Test Conditions

V_GE=0V V_CE=1200V

V_CE=0V V_GE=± 20V

V_GE=20V I_C=600mA

V_GE=15V I_C=600A

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

V_CC=600V

I_C=600A

Min.

Typ.

Max.

2.0

± 0.5

9.0

Units

µA

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Input capacitance

7.0

8.0

2.85

0.75

0.02

0.65

0.01

3.2

Output capacitance

Reverse Transfer capacitance

1.20

0.60

1.00

0.30

3.4

Turn-on Time

Turn-off Time

µs

V_GE=± 15V

R_G=2.0W

I_F=600A V_GE=0V

I_F=600A, V_GE=-15V

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

350

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.03

0.06

Units

IGBT

Thermal Resistance

Diode

°C/W

R_th(c-f)

With Thermal Compound

0.0063

12 3 4 5

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