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1MBI400SA-120

更新时间: 2024-11-19 20:58:51
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 391K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

1MBI400SA-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2500 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1

1MBI400SA-120 数据手册

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