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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 1MBI400S-120
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1MBI400S-120

更新时间： 2024-11-19 02:54:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 366K
描述
1200V / 400A 1 in one-package IGBT Module

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1MBI400S-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：600 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

1MBI400S-120 数据手册

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1MBI400S-120  
IGBT Module  
1200V / 400A 1 in one-package  
Features  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Rating  
1200  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltaga  
Collector Continuous  
current  
V
VGES  
±20  
A
Tc=25°C IC  
600  
Equivalent Circuit Schematic  
A
Tc=80°C  
400  
A
1ms  
Tc=25°C IC pulse  
1200  
A
Tc=80°C  
-IC  
800  
C
E
A
400  
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
800  
W
°C  
°C  
V
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage *1  
Screw torque  
3100  
Tj  
+150  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Vis  
G
E
N·m  
N·m  
N·m  
Mounting *2  
Terminals *2  
Terminals *2  
4.5  
1.7  
*1 : Aii terminals should be connected together when isolation test will be done  
*2 : Recommendable value : Mounting 2.5 to 3.5 N·m(M5 or M6)  
Terminal 3.5 to 4.5 N·m(M6), 1.3 to 1.7N·m(M4)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
4.0  
0.8  
8.5  
2.6  
–
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
ICES  
–
–
–
–
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=400mA  
mA  
µA  
V
IGES  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
VGE(th)  
VCE(sat)  
5.5  
7.2  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.3  
2.8  
Tc=25° C VGE=15V, IC=400A  
Tc=125°C  
V
Input capacitance  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
48000  
–
VGE=0V  
pF  
µs  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
10000  
8800  
–
VCE=10V  
–
f=1MHz  
0.35 1.2  
0.25 0.6  
0.1  
VCC=600V  
IC=400A  
tr  
tr(i)  
toff  
–
VGE=±15V  
Turn-off time  
0.45 1.0  
0.08 0.3  
RG=1.8 ohm  
tf  
Forward on voltage  
Reverse recovery time  
VF  
2.7  
2.4  
–
3.5  
–
Tj=25°C  
Tj=125°C  
IF=400A  
IF=400A, VGE=0V  
V
trr  
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*4  
IGBT  
FWD  
–
–
–
–
–
0.04  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
0.12  
–
the base to cooling fin  
0.0125  
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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1MBI400S-120 替代型号

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