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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 400 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT LIMITING CIRCUIT | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2600 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2600 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1050 ns | 标称接通时间 (ton)： | 750 ns |
| VCEsat-Max： | 3.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1MBI400NA-120 | FUJI |
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IGBT MODULE(N series) |
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| 1MBI400NB-060 | FUJI |
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Ratings and characteristics of Fuji IGBT Module |
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| 1MBI400NB-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT module |
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| 1MBI400NM-120 | ETC |
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| 1MBI400NN-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI400NP-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI400S-120 | FUJI |
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1200V / 400A 1 in one-package IGBT Module |
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| 1MBI400SA120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
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| 1MBI400SA-120 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 1MBI400SC-120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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