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1KAB10EL3

更新时间: 2024-01-22 23:08:58
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威世 - VISHAY 光电二极管
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1页 28K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon,

1KAB10EL3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:S-PDIP-W4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.32
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:S-PDIP-W4
最大非重复峰值正向电流:52 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.00001 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

1KAB10EL3 数据手册

  

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