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1JH46TPA2

更新时间： 2024-11-21 20:10:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 241K
描述
DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1JH46TPA2 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.2 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1JH46TPA2 数据手册

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1JH46  
TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE  
1JH46  
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATIONS  
Unit: mm  
z Repetitive Peak Reverse Voltage : V  
= 600V  
= 1.0A  
RRM  
z Average Forward Current  
: I  
F (AV)  
z Very Fast Reverse−Recovery Time : t = 200ns (Max)  
rr  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
600  
UNIT  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
Average Forward Current  
(Ta = 25°C)  
I
1.0  
A
F (AV)  
15 (50H )  
z
Peak One Cycle Surge Forward  
Current (Non−Repetitive)  
I
A
FSM  
17 (60H )  
z
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to 150  
−40 to 150  
°C  
°C  
j
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
3-3F2A  
Weight: 0.18 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Peak Forward Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
= 1.0A  
FM  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
I
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
1.2  
100  
200  
500  
115  
V
μA  
FM  
Repetitive Peak Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
Forward Recovery Time  
Thermal Resistance  
I
V
= 600V  
RRM  
RRM  
t
rr  
I
I
= 1A, di / dt = −30A / μs  
ns  
F
F
t
fr  
= 1.0A  
ns  
R
th (j−a)  
Junction to Ambient  
°C / W  
MARKING  
Abbreviation Code  
JH6  
Part No.  
1JH46  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
JH6  
1
2011-01-05  
1234

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与1JH46TPA2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1JH46TPA3 TOSHIBA

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 		TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
1JH46TPB5 TOSHIBA

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 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JPK10MFA8X11.5 RUBYCON

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 		CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 63V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
1JSSP00022MKC6.3X11 RUBYCON

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF,
1JSSP00047MFA8X11.5 RUBYCON

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF,
1JU41 TAYCHIPST

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 		HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATION
1JU41 TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS)
1JU41TPA1 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JU41TPA2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JU41TPA3 TOSHIBA

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 		暂无描述

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