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1H8G

更新时间： 2024-09-13 07:20:23

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EIC		整流二极管高效整流二极管功效
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2页	99K
描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS

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1H8G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1H8G 数据手册

TH97/2478

TH09/2479

IATF 0060636

SGS TH07/1033

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS

M1A

1H1G ~ 1H8G

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

1.00 (25.4)

0.085(2.16)

MIN.

FEATURES :

0.075(1.91)

* Glass passivated chip

* High current capability

* High reliability

0.138(3.51)

0.122(3.10)

* High speed switching

* Low leakage

* Low forward voltage

* Low power loss, high efficiency

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.024(0.60)

MIN.

0.022(0.55)

MECHANICAL DATA :

* Case : M1A Molded plastic

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.20 gram (approximately)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise noted.

RATING

1H1G 1H2G 1H3G 1H4G 1H5G 1H6G 1H7G 1H8G

UNITS

SYMBOL

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100 200 300 400 600 800 1000

70 140 210 280 420 560 700

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 300 400 600 800 1000

Maximum Average Forward

I_F(AV)

1.0

Rectified Current at Ta = 25 °C

Peak Forward Surge Current , 8.3ms Single half sine

wave Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at I_F= 1.0 A.

Maximum DC Reverse Current

I_FSM

V_F

I_R

1.0

1.3

5.0

1.7

μA

at rated DC Blocking Voltage Ta = 25 °C

Maximum Full Load Reverse Current Average,

Full Cycle 0.375” (9.5mm) lead length at T_L= 55 °C

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

I_R

100

μA

Trr

C_J

°C

T_J, T_STG

- 65 to + 150

Notes :

(1) Reverse Recovery Test Conditions : I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, Irr = 0.25 A.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts

Page 1 of 2

Rev. 01 : April 28, 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1H8-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1H8-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1H8-T3	WTE	获取价格	1.0A ULTRAFAST DIODE
1H8-T3-LF	WTE	获取价格	暂无描述
1H8-TB	WTE	获取价格	1.0A ULTRAFAST DIODE
1H8-TB-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1HD10J98	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 196 Element, 2.8A, 1000V V(RRM), Silicon,
1HD12K98	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 196 Element, 2.8A, 1200V V(RRM), Silicon,
1HD12R98	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 196 Element, 3A, 1200V V(RRM), Silicon,
1HE101-RB	HONEYWELL	获取价格	Snap Acting/Limit Switch, SPDT, Momentary, 5A, 28VDC, 7.366mm, Connector Terminal, Panel M

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