1EZ150D5-B

更新时间： 2024-11-19 13:03:27

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美微科 - MCC		稳压二极管齐纳二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
Zener Diode,

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1EZ150D5-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

1EZ150D5-B 数据手册

M C C

1EZ110D5

THRU

1EZ200D5

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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Features

1.0 W Silicon

Zener Diodes

100 to 200 Volts

Zener Voltage 100V to 200V

Silicon Planar Power Zener Diodes

Low profile package

Glass passivated junction

DO-41

Mechanical Data

Case: Molded plastic, DO-41

Polarity: Color band denotes cathode end

Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram

Maximum Ratings

Symbol

P_D

Value

Units

Peak Pulse Power

Dissipation on T =50^oC⁽¹⁾

1.0

6.67

150

-55 to 150

Derate above 50 ^oC

mW/ ^oC

Cathode

Mark

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

T_STG

^oC

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

IFSM

Value

Unit

Peak Forward Surge Current ⁽²⁾

Maximum Forward Voltage

@ I_F=200mA

V_F

1.2

NOTE:

(1) Mounted on 5.0mm2 (.013mm thick) land areas.

DIMENSIONS

(2) Measured on 8.0ms, single half sine-wave or equivalent

INCHES

MIN

M M

DIM

NOTE

MAX

0.205

0.107

0.034

-----

MIN

4.10

MAX

5.20

2.70

0.86

-----

square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.

0.160

0.080

0.028

1.000

2.00

Diameter

0.71

25.40

www.mccsemi.com

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