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1E3

更新时间： 2024-01-02 17:11:08

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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2页	72K
描述
ULTRA FAST RECTIFIER

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1E3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1E3 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

1E1 --- 1E5

VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V

CURRENT: 1.0 A

ULTRA FAST RECTIFIER

FEATURES

Low cost

R - 1

Diffusde junction

Ultra fast switching for high efficiency

Low reverse leakage current

Low forward voltage drop

High current capability

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC R--1,molded plastic

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.007 ounces,0.20 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

1E1

1E2

100

1E2A

1E3

1E3A

1E4

1E5 UNITS

Maximumrecurrent peakreverse voltage

Max imum RMS v oltage

150

105

150

200

140

200

300

210

300

400

280

400

600

420

600

V_RRM

V_RMS

V_DC

Max imum DC bloc king v oltage

100

Maximumaverage forward rectified current

1.0

I_F(AV)

9.5mmlead length,

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-wave

@T =75

I_FSM

30.0

superimposed on rated load @T =125

Maximuminstantaneous forw ard voltage

@1.0A

0.95

1.25

1.7

V_F

Maximumreverse current

@T =25

5.0

150.0

I_R

at rated DCblocking voltage @T =100

Maximum reverse recovery time (Note1)

t_rr

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

R _JA

/ W

Operating junction temperature range

Storage temperature range

- 55 ----- + 150

STG

NOTE: 1. Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3.Thermal resistance junction to ambient

www.galaxycn.com

Document Number 0264032

BLGALAXY ELECTRICAL

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