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1DI400M-050

更新时间: 2024-09-27 20:30:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
Power Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin, M109, 5 PIN

1DI400M-050 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

1DI400M-050 数据手册

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