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1DI300D-100

更新时间: 2024-02-18 06:21:46
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 1000V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin

1DI300D-100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X6
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
最大集电极电流 (IC):300 A集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):3000 nsJESD-30 代码:R-PUFM-X6
元件数量:1端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2000 W最大功率耗散 (Abs):2000 W
认证状态:Not Qualified最大上升时间(tr):2500 ns
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):18000 ns
最大开启时间(吨):2500 nsBase Number Matches:1

1DI300D-100 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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