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1AM

更新时间： 2022-12-14 17:54:07

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AVICTEK		晶体晶体管
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1页	42K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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1AM 数据手册

@vic

MMBT3904LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

1. BASE

MMBT3904LT1 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

2. 4

1. 3

P_CM:

0.2

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

0.2

60

A

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

:

V

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

60

40

6

V

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100 µA, I_E=0

Ic= 1 mA, I_B=0

V

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB= 60V, I_E=0

0.1

0.1

0.1

300

µA

µA

µA

I_CEO

V_CE= 40V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

Emitter cut-off current

H_FE(1)

V_CE=10V, I_C= 1mA

V_CE= 1V, I_C= 50mA

I_C=50mA, I_B= 5mA

I_C= 50mA, I_B= 5mA

100

60

DC current gain

H_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.3

V

V

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

0.95

V

_CE= 20V, I_C= 10mA

250

MHz

Transition frequency

f_T

f=100MHz

35

35

nS

nS

nS

nS

Delay Time

Rise Time

td

tr

V_CC=3.0Vdc, V_BE=-0.5Vdc

I_C=10mAdc, I_B1=1.0mAdc

200

50

Storage Time

ts

tf

V_CC=3.0Vdc, I_C=10mAdc

I_B1=I_B2=1.0mAdc

Fall Time

DEVICE MARKING

MMBT3904LT1=1AM

Copyright @vic Electronics Corp.

Website http://www.avictek.com

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