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1A7

更新时间： 2024-01-10 15:29:45

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2页	66K
描述
1.0 AMP SILICON RECTIFIERS

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1A7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1A7 数据手册

1F1 THRU 1F7

1.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

50 to 1000 Volts

CURRENT

1.0 Ampere

FEATURES

* Low forward voltage drop

* High current capability

* High reliability

R-1

* High surge current capability

.102(2.6)

.787(20.0)

.091(2.3)

DIA.

MIN.

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

.126(3.2)

.106(2.7)

* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,

method 208 guranteed

* Polarity: Color band denotes cathode end

* Mounting position: Any

.787(20.0)

MIN.

.025(0.65)

* Weight: 0.19 grams

.021(0.55)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

1F1

1F2

1F3

1F4

1F5

1F6

1F7 UNITS

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=25 C

1.0

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A

1.3

5.0

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Ta=100 C

100

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

150

250

500

Operating and Storage Temperature Range TJ, TSTG

-65 +150

NOTES:

1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

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