1Z9.1A

更新时间： 2024-01-19 14:01:54

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东芝 - TOSHIBA		瞬态抑制器二极管测试
页数	文件大小	规格书
4页	219K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

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1Z9.1A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Lifetime Buy
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
JEDEC-95代码：	DO-15	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	200 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	9.1 V	最大反向电流：	10 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	10 mA
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1Z9.1ATPA1	TOSHIBA	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
1Z9.1ATPA2	TOSHIBA	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
1Z9.1TPA1	TOSHIBA	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
1Z9.1TPA2	TOSHIBA	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
1ZB10	LGE	Zener Diodes	获取价格
1ZB10	BL Galaxy Electrical	ZENER DIODES	获取价格