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1SV324

更新时间: 2024-01-20 16:56:02
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东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
DIODE SILCON EPITAXIAL PLANAR TYPE

1SV324 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.19
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管电容容差:5.88%最小二极管电容比:4
标称二极管电容:46.75 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SV324 数据手册

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