是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.67 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.3 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.2 W |
最大重复峰值反向电压: | 25 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1SS404(TH3MAA,F) | TOSHIBA | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.3A, 25V V(RRM), Silicon |
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1SS404,H3F | TOSHIBA | DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC |
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1SS404,H3F(T | TOSHIBA | Rectifier Diode |
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1SS404_07 | TOSHIBA | Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type |
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1SS404_13 | MCC | High Speed Switching Diode |
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1SS404WS | SEMTECH | SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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