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1S2076A

更新时间： 2024-01-06 16:07:39

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KISEMICONDUCTOR		小信号开关二极管
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3页	374K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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1S2076A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	PLANAR DOPED BARRIER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1S2076A 数据手册

1S2076A

SEMICONDUCTOR

REVERSE VOLTAGE : 60 V

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

CURRENT: 0.15 A

FEATURES

DO-35(GLASS)

Silicon epitaxial planar diode

High speed switching diode

500 mW power dissipation

MECHANICAL DATA

Case: DO-35, glass case

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS

UNITS

1S2076A

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Average forw ard rectified current

half w ave rectification w ith resist.load

V_R

V_RM

150

I_AV

T =

and f 50Hz

Forw ard surge current @ t<1s and T =

1.0

I_FSM

P_tot

T_J

250¹⁾

Pow er dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

1)Valid prov ided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

@ T =

175

-55 --- +175

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Forw ard voltage at I_F=10mA

Leakage current

0.8

V_F

I_R

@ V_R=30V

0.1

3.0

μA

Capacitance

@ V_{F=VR=1V,f=1MHz}

Reverse recovery time

t_rr

8.0

from I_{F=IR=10mA to Irr=1mA}

KI SEMICONDUCTOR

Document Number 0268032

12 3

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