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1N5822

更新时间： 2024-01-03 06:59:26

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乐山 - LRC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

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1N5822 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	1.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5822 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

1N5820–1N5822

SCHOTTKY BARRIER DIODES

Maximum

Maximum Average

Rectified Current

@ Half-Wave

Resistive Load

60Hz

Maximum

Reverse

Current

@ PRV

@ T_A=25ºC

Package

Maximum

Peak

Forward

Voltage

Forward Peak

Surge Current

@ 8.3ms

TYPE

Dimensions

Reverse

Voltage

@ T_A=25ºC

Superimposed

I _R

PRV

V_PK

I_O@ T_L

_FM(Surge)

A_PK

I _FM

mAdc

A_AV

ºC

A _PK

1N5820

1N5821

1N5822

2.0

0.475

0.500

0.525

3.0

DO - 201AD

1.0(25.4)

MIN

1.0(25.4)

.375(9.5)

.335(8.5)

MIN

.052(1.3)

.048(1.2)

DIA

.220(5.6)

.197(5.0)

DIA

DO – 201AD

5A–1/2

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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