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1N5822

更新时间： 2024-01-19 22:58:18
品牌 Logo 应用领域
全宇昕 - CYSTEKEC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 136K
描述
3.0Amp. Axial Leaded Schottky Barrier Diodes

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1N5822 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.63Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.4 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5822 数据手册

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Spec. No. : C330LA  
Issued Date : 2003.04.16  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 1/3  
3.0Amp. Axial Leaded Schottky Barrier Diodes  
1N582XLA Series  
Features  
• For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications  
• Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0  
• Low leakage current  
• High surge capability  
• High temperature soldering: 250°C/10 seconds at terminals  
• High reliability  
Mechanical Data  
• Case: DO-201AD molded plastic.  
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202 method 208  
• Polarity: Indicated by cathode band.  
• Weight: 1.10 gram  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
(Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise noted. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or  
inductive load. )  
Type  
1N5820 1N5821 1N5822  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Units  
min  
typ  
30  
21  
30  
max  
Repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
VRMS  
VR  
20  
40  
V
V
V
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking  
voltage  
14  
28  
20  
40  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
IF=3A (Note 1)  
VF  
IO  
0.475 0.500 0.525  
V
A
A
Maximum average forward  
rectified current  
3
8.3ms single half sine wave superimposed  
on rated load(JEDEC method)  
VR=VRRM,TA=25 (Note 1)  
Peak forward surge current  
IFSM  
IR  
80  
2
20  
mA  
mA  
℃
Maximum DC reverse  
current  
℃
VR=VRRM,TA=125 (Note 1)  
Maximum thermal  
Junction to ambient(Note 2)  
Rth,JA  
40  
℃
/w  
resistance  
Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V reverse voltage  
Storage temperature  
CJ  
Tstg  
TJ  
250  
-65~+125  
-65~+125  
pF  
℃
℃
Operating temperature  
Notes: 1.Pulse test, pulse width=300μsec, 2% duty cycle  
1N582XLA  
CYStek Product Specification  
123

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