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1N5819

更新时间： 2024-02-27 06:38:53

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乐山 - LRC		二极管
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2页	53K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

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1N5819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

1N5817–1N5819

SCHOTTKY BARRIER DIODES

Maximum

Maximum Average

Rectified Current

@ Half-Wave

Resistive Load

60Hz

Maximum

Reverse

Current

@ PRV

@ T_A=25ºC

Package

Maximum

Peak

Forward

Voltage

Forward Peak

Surge Current

@ 8.3ms

TYPE

Dimensions

Reverse

Voltage

@ T_A=25ºC

Superimposed

I _R

PRV

V_PK

I_O@ T_L

_FM(Surge)

A_PK

I _FM

mAdc

A_AV

ºC

A _PK

1N5817

1N5818

1N5819

1.0

0.45

0.55

0.60

1.0

DO – 41

1.0(25.4)

MIN

1.0(25.4)

MIN

.205(5.2)

.166(4.2)

.034(0.9)

.028(0.7)

DIA

.107(2.7)

DIA

.080(2.0)

DO – 41

3A–1/2

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