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1N5711

更新时间： 2024-01-09 22:32:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		小信号肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	54K
描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

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1N5711 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711 数据手册

1N 5711

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION

Metal to silicon junction diode featuring high break-

down, low turn-on voltage and ultrafast switching.

Primarly intended for high level UHF/VHF detection

and pulse application with broad dynamic range.

DO 35

(Glass)

Matched batches are available on request.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

V_RRM

I_F

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Value

Unit

Forward Continuous Current*

Power Dissipation*

T = 25 C

P_tot

430

T = 25 C

T_stg

T_j

Storage and Junction Temperature Range

- 65 to 200

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering during 10s at 4mm

from Case

230

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

C/W

R_th(j-a)

Junction-ambient*

400

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

V_BR

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

T_amb= 25 C

I = 10 A

V_F* *

0.41

T_amb= 25 C

I_F= 1mA

I_F= 15mA

V_R= 50V

T_amb= 25 C

I_R* *

0.2

T_amb= 25 C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Symbol

Test Conditions

V_R= 0V

Min.

Typ.

Max.

Unit

T_amb= 25 C

f = 1MHz

100

T_amb= 25 C

I_F= 5mA

Krakauer Method

* On infinite heatsink with 4mm lead length

** Pulse test: t_p≤ 300µs δ < 2%.

Matched batches available on request. Test conditions (forward voltage and/or capacitance) according to customer specification.

August 1999 Ed: 1A

1/3

12 3

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1N5711 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N5711-1	MICROSEMI	功能相似	Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444
NTE583	NTE	功能相似	Silicon Rectifier Diode Schottky, RF Switch

与1N5711相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5711#T25	AGILENT	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2	获取价格
1N5711,1N5712	TE	General Purpose Axial Lead Glass Packaged Schottky Diodes	获取价格
1N5711_15	GOOD-ARK	Small-Signal Diode Schottky Diodes	获取价格
1N5711-1	SENSITRON	SWITCHING DIODE	获取价格
1N5711-1	CDI-DIODE	SCHOTTKY BARRIER DIODES	获取价格
1N5711-1	MICROSEMI	SCHOTTKY BARRIER DIODES	获取价格