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1N5408

更新时间： 2024-02-05 03:36:08
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
PLASTIC SILICON RECTIFIER

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1N5408 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.09
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5408 数据手册

 浏览型号1N5408的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
1N5400 - - - 1N5408  
BL  
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V  
CURRENT: 3.0 A  
PLASTIC SILICON RECTIFIER  
FEATURES  
Low cost  
DO - 27  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easily cleaned with Alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L  
recognition 94V-0  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO--27,molded plastic  
Terminals: Axial lead ,solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams  
Mounting position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
UNITS  
5400 5401  
5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408  
V
V
V
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200 300 400 500 600 800 1000  
140 210 280 350 420 560 700  
200 300 400 500 600 800 1000  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard rectified current  
A
3.0  
IF(AV)  
9.5mm lead length,  
@TA=75  
Peak forw ard surge current  
A
8.3ms single half-sine-w ave  
IFSM  
200.0  
1.0  
superimposed on rated load @TJ=125  
Maximum instantaneous forw ard voltage  
@ 3.0 A  
V
A
VF  
Maximum reverse current  
@TA=25  
10.0  
100.0  
IR  
at rated DC blocking voltage @TA=100  
pF  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note1)  
(Note2)  
35  
CJ  
20  
Rθ  
/W  
JA  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TJ  
TSTG  
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance from junction to ambient.  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
Document Number 0260009  
12

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