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1N5402

更新时间： 2024-02-13 18:56:28

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乐山 - LRC		二极管
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2页	51K
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3A GENERAL DIODES

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1N5402 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.05
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5402 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

1N5400– 1N5408

3A GENERAL DIODES

Maximum

Forward

Maximum Average

Maximum

Forward Peak

Maximum

Reverse

Package

Maximum

Peak Reverse

Voltage

Rectified Current

@ Half-Wave

TYPE

Dimensions

Voltage

Surge Current @

8.3ms Superimposed

Current @ PRV

@ T_A=25ºC

Resistive Load 60Hz

PRV

V _PK

I _O@ T _L

I _FM(Surge)

A _PK

I _FM

A_PK

V _FM

V _PK

A_AV

ºC

µAdc

1N5400

1N5401

1N5402

1N5404

1N5406

1N5407

1N5408

100

200

400

600

800

1000

DO –

3.0

105

200

5.0

3.0

1.1

201AD

.375(9.5)

.335(8.5)

1.0(25.4)

MIN

1.0(25.4)

MIN

.052(1.3)

.048(1.2)

DIA

.220(5.6)

.197(5.0)

DIA

DO – 201AD

28A–1/2

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