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1N5400G

更新时间： 2024-02-15 15:02:50
品牌 Logo 应用领域
辰达行 - MDD 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 558K
描述
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER

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1N5400G 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.05
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N5400G 数据手册

 浏览型号1N5400G的Datasheet PDF文件第2页 
1N5400G THRU 1N5408G  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 3.0 Ampere  
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER  
DO-201AD  
Features  
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Construction utilizes void-free molded plastic technique  
Low reverse leakage  
0.220 (5.6)  
0.197(5.0)  
DIA.  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension  
0.375(9.5)  
0.285(7.2)  
Mechanical Data  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Case : JEDEC DO-201AD Molded plastic body  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
Polarity : Polarity symbol marking on body  
Mounting Position: Any  
0.052 (1.3)  
0.048 (1.2)  
DIA.  
Weight  
: 0.04 ounce, 1.10 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
Parameter  
5400G 5401G 5402G 5403G 5404G 5405G 5406G 5407G 5408G  
MDD MDD MDD MDD MDD MDD MDD MDD MDD  
1N  
SYMBOLS  
UNITS  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
Marking Code  
5400G 5401G 5402G 5403G 5404G 5405G 5406G 5407G 5408G  
50 100 200 300 400 500 600 800 1000  
35 70 140 210 280 350 420 560 700  
50 100 200 300 400 500 600 800 1000  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
0.375”(9.5mm) lead length at TA=75°C  
Peak forward surge current  
I(AV)  
3.0  
A
IFSM  
150.0  
1.2  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
A
V
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A  
μ
5.0  
100.0  
A
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=100°C  
CJ  
30.0  
20.0  
pF  
°C/W  
°C  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
RθJA  
TJ,TSTG  
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction and storage temperature range  
-65 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted  
DN:T19821A0  
https://www.microdiode.com  
Rev:2019A0  
Page :1  
12

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