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1N5365B

更新时间： 2024-02-06 13:30:41

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KISEMICONDUCTOR		二极管齐纳二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	428K
描述
5 Watt Zener Diode 5.1 to 200 Volts

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技术参数
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1N5365B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.48	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
标称参考电压：	36 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	30 mA	Base Number Matches：	1

1N5365B 数据手册

1N5338B

THRU

KI SEMICONDUCTOR

1N5388B

Features

xꢀ Zener Voltage From 5.1V to 200V

5 Watt

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

•

Moisture Sensitivity Level 1

Zener Diode

5.1 to 200 Volts

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

•

Marking : Cathode band and type number

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Maximum Ratings:

DO-15

xꢀ Operating Temperature: -55qC to +150qC

xꢀ Storage Temperature: -55qC to +150qC

xꢀ 5 Watt DC Power Dissipation

xꢀ Maximum Forward Voltage @ 1A: 1.2 Volts

xꢀ Power Derating: 67 mW/к Above 75к

xꢀ Maximum thermal resistence: 25C/W from junction to ambient

Mechanical Data

Case: JEDEC DO-15.

Terminals: Solder plated , solderable per MIL-STD-750,

Method 2026.

Standard Packaging: 52mm tape

Cathode

Mark

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.230

.104

.026

MIN

5.80

2.60

.70

DIM

MAX

.300

.140

.034

---

MAX

7.60

3.60

.90

NOTE

1.000

25.40

---

Note: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

KI SEMICONDUCTOR

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