5秒后页面跳转
1N1204B PDF预览

1N1204B

更新时间: 2024-02-07 20:40:42
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 400V V(RRM)

1N1204B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.46Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:1000 µA最大反向恢复时间:5 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N1204B 数据手册

  

与1N1204B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N1204BRHR DIGITRON Rectifier Diode

获取价格

1N1204BR-PBF DIGITRON Rectifier Diode

获取价格

1N1204C MICROSEMI SILICON POWER RECTIFIER

获取价格

1N1204CE3 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P

获取价格

1N1204-CHIP SSDI Diode,

获取价格

1N1204CR MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P

获取价格