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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-93 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 标称电路换相断开时间： | 100 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 最大漏电流： | 30 mA |
| 湿度敏感等级： | 1 | 通态非重复峰值电流： | 3800 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 180000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 285 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 180RKI800 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, |
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| 180RKI800PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, |
|
| 180RKI80M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180RKI80PBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 180 A |
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| 180RKI80S90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180RKI80S90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
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| 180SX4P16K102SP | ETC |
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DREHPOTENTIOMETER EIN LIN EINST 1K 0.1W |
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| 180SX4P16K102ZP | ETC |
获取价格 |
DREHPOTENTIOMETER EIN LOG EINST 1K 0.1W |
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| 180SX4P16K103SP | ETC |
获取价格 |
DREHPOTENTIOMETER EIN LIN EINST 10K 0.1W |
|
| 180SX4P16K103ZP | ETC |
获取价格 |
DREHPOTENTIOMETER EIN LOG EINST 10K 0.1W |
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