5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.11 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 285 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 180RKI60PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180RKI80 | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 180 A |
|
| 180RKI80 | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS |
|
| 180RKI800 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, |
|
| 180RKI800PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, |
|
| 180RKI80M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180RKI80PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 180 A |
|
| 180RKI80S90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180RKI80S90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 285A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB |
|
| 180SX4P16K102SP | ETC |
获取价格 |
DREHPOTENTIOMETER EIN LIN EINST 1K 0.1W |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
