175C120B

更新时间： 2024-11-10 22:09:15

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美高森美 - MICROSEMI		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
3页	172K
描述
Silicon Controlled Rectifier

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175C120B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-93
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	100 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	200 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AB	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	15 mA
通态非重复峰值电流：	4000 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	275000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	275 A
重复峰值关态漏电流最大值：	15000 µA	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
175C120BE3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
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