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15KPA110AE3/TR13

更新时间: 2024-11-26 21:04:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 444K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN

15KPA110AE3/TR13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68最大击穿电压:129.05 V
最小击穿电压:122.9 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:15000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:110 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

15KPA110AE3/TR13 数据手册

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