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150C80BE3

更新时间： 2024-01-04 07:33:50

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	172K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN

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150C80BE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AB
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流：	235 A	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

150C80BE3 数据手册

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