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150C60BE3

更新时间： 2024-02-25 07:56:58

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	172K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN

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150C60BE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AB	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	最大均方根通态电流：	235 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

150C60BE3 数据手册

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