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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-93 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 235 A |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 150C120BILE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PI |
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| 150C15B | NJSEMI | SCR, (DRM) = 100 V TO 199.9 V |
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| 150C2206 | DAICO | Switch DPDT |
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| 150C2223 | DAICO | 450 - 950 MHz +47 dBm 3rd Order Intercept Point 8 mV Switching Transients TO- Package |
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| 150C60B | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier |
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| 150C60BE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, |
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