14KESD130A

更新时间： 2024-09-17 22:38:19

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14KESD130A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	144 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	227.3 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	130 V
最大反向电流：	1 µA	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
14KESD130AE3	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
14KESD130AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
14KESD130ATR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
14KESD130C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD130CATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD130CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD130CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD130E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
14KESD130TRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD13A	MICROSEMI	获取价格	AXIAL LEAD