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14KESD12A

更新时间： 2024-09-17 22:38:19

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14KESD12A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	最小击穿电压：	13.3 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	35 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	12 V	最大反向电流：	1 µA
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
14KESD12AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD12ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD12CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD12CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD12CATRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD12CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD12CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD12CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD12CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD12E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-