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13002

更新时间： 2024-10-31 14:53:47

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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13002 数据手册

13002

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

High voltage power transistor

1. Emitter 2. Collector 3. Base

TO-92 Plastic Package

O

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

700

V

V

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

400

9

0.2

V

Collector Current

A

Collector Current (Pulse)

Total Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

I_CP

0.5

A

P_tot

0.6

W

O

C

T_j

150

O

C

T_stg

- 55 to + 150

O

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 10 V, I_C= 10 µA

at V_CE= 10 V, I_C= 100 mA

at V_CE= 10 V, I_C= 200 mA

h_FE

h_FE

h_FE

10

20

10

40

40

40

-

-

-

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 700 V

I_CBO

-

-

100

µA

µA

V

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 7 V

I_EBO

10

-

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 10 mA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

700

400

9

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

-

V

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 1 mA

-

V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

at I_C= 200 mA, I_B= 20 mA

V_CEsat

-

-

0.5

2.5

V

Transition Frequency

at V_CE= 10 V, I_C= 100 mA

f_T

4

-

MHz

®

Dated: 22/08/2016 Rev: 01

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